多晶硅超纯水设备主要用在多晶硅片清洗中，多晶硅片,半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导;碱金属如钠等，引起严重漏电,颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。针对多晶硅加工工艺需求和当地水源情况，可采用工艺流程:ASS+UF+1RO+2RO+EDI+SMB或MMF+ACF+1RO+2RO+EDI+SMB工艺流程，澳门太阳成tyc122cc采用国内先进设计理念，确保系统设备产水达到标准。
设备优点
目前制备电子工业用超纯水的工艺基本上是以上三种，其余的工艺流程大都是在以上三种基本工艺流程的基础上进行不同组合搭配衍生而来。现将他们的优缺点分别列于右边：
设备优点
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第一种 采用离子交换树脂
其优点在于初投资少，占用的地方少，但缺点就是需要经常进行离子再生，耗费大量酸碱，而且对环境有一定的破坏。
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第二种 采用反渗透作为预处理再配上离子交换
其特点为初投次比采用离子交换树脂方式要高，但离子再生周期相对要长，耗费的酸碱比单纯采用离子树脂的方式要少很多。但对环境还是有一定的破坏性。
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第三种 采用反渗透作预处理
再配上电去离子(EDI)装置
这是目前制取超纯水最经济，最环保用来制取超纯水的工艺，不需要用酸碱进行再生便可连续制取超纯水，对环境没什么破坏性。其缺点在于初投资相对以上两种方式稍贵一点。
技术要求
采用膜表面高分子嫁接技术，产水TOC在20PPB以下，更适用电子级超纯水系统。 高TOC脱除率、高抗污染能力、低TOC溶出率，TOC达标冲洗时间短、先进配套电源技术，能耗更低。
水质标准
1、ASTM-D5127-2007《美国电子学和半导体工业用超纯水标准》
2、欧盟电子级超纯水标准
3、中国电子工业国家标准
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